Kомпоненты, приборы, оборудование      
 |  Главная |  Каталог предприятий Украины |  Схемотехника |
 

Раздел на реконструкции, некоторые ссылки могут не работать!
  • Аудио
  • Безопасность
  • Бытовая электроника
  • Видео
  • Видеокамеры
  • Высоковольтные
  • Генераторы
  • Измерения
  • Интерфейсы
  • Коммутация
  • Компьютер
  • Медицина
  • Моделирование
  • Передатчики
  • Питание
  • Обработка данных
  • Предусилители
  • Радио

  • Веб-мастерам
    и писателям:
    Биржа статей. Продать - купить статью. Уникальные статьи: готовые и на заказ.


    Назад
       Заметки разработчика. Управление транзистором в ключевом режиме
       Биполярный транзистор, работающий в ключевом режиме, должен находиться в одном из двух состояний: открытом (включенном, сопротивление перехода коллектор-эмиттер минимально) или закрытом (выключенном, сопротивление перехода коллектор-эмиттер максимально). На рис.1 показан простой способ управления транзистором. Чтобы выключить транзистор, управляющее напряжение Uвх должно быть менее 0,5 В. Для включения транзистора достаточно напряжения, немного большего 0,7 В. В другом случае (рис.2) можно получить выключение транзистора при входном напряжении Uвх более 0,7 В, в зависимости от номиналов резисторов делителя R1, R2. Очевидно, для уверенного включения транзистора нужно приложить большее напряжение. Кроме отношения сопротивлений резисторов делителя, создающих требуемое напряжение на переходе транзистора база-эмиттер, нужно учитывать их величины, чтобы обеспечить достаточный ток базы в состоянии включения с целью полного открытия транзистора или его насыщения. На рис.3 сопротивление резистора R нужно подбирать таким образом, чтобы обеспечить насыщение и полное открытие транзистора. Например, если ток коллектора открытого транзистора должен быть 40 мА и коэффициент усиления 100, то теоретически хватило бы тока базы величиной 0,4 мА. Внутреннее сопротивление выхода CMOS элемента (Uпит = 5 В) меньше 1 кОм. А при напряжении питания CMOS элементов 12 В требуемый ток будет получен при R = 27...30 кОм. На практике, однако, следует работать при более высоких токах базы для обеспечения полного насыщения транзистора. Следовательно, в данном случае величину сопротивления резистора в цепи базы транзистора стоит уменьшить до 10 кОм. Часто требуется, чтобы ток, потребляемый с выхода CMOS элемента, был, по возможности, минимальным. В таком случае применяют транзистор Дарлингтона с большим усилением тока, что позволит во много раз увеличить сопротивление резистора в цепи базы. К тому же, они имеют более высокий порог переключения транзистора 1,1...1,2 В (в отличие от единичных транзисторов - 0,5...0,6 В). Вместо биполярных транзисторов для таких схем лучше подходят MOSFET транзисторы с N каналом, без применения резисторов. MOSFET транзисторы имеют отличные пороги переключения. Например, маломощные транзисторы BS107 или BS170 имеют пороговое напряжение переключения в пределах 0,8...2 В, а мощные BUZ11, IRF540 имеют напряжение около 4 В.


     SVITEL © 2014  Мир электроники.  Admin  При перепечатке и цитировании активная гиперссылка на сайт обязательна. Rambler's Top100